Semi-conducteurs. Page 183 sur 485. Avtronic

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: IRFU9024 à IRG4PC40U (Page 183 sur 485)

Transistor IRFU9024

2.91€ TTC

72 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: -8.8A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<0.28 Ohm. Boîtier: TO-251AA (I-PAK).

Tarifs dégressifs

Transistor IRFU9024N

2.52€ TTC

30 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -11A. Puissance: 38W. Résistance passante (Rds):<0.175 Ohm. Boîtier: TO-251AA (I-PAK).

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFUC20

3.25€ TTC

96 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 2A/8Ap 42W. Résistance passante RDSon : 4.4 Ohms (1.2A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ24N

2.69€ TTC

142 En stock

Transistor IRFZ24N N-MOS 55V 17A 60W<0.07R(10A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 10 A. Rds (Ohms): 0.07. Puissance: 60 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ34N

3.42€ TTC

77 En stock

Transistor IRFZ34N N-MOS 55V 29A 88W<0.04R(18A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 29 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 18 A. Rds (Ohms): 0.04. Puissance: 88 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ44N

2.91€ TTC

144 En stock

Transistor IRFZ44N N-MOS 55V 49A 94W<0.0175R(35A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 49 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 35 A. Rds (Ohms): 0.017

Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ44NS

3.70€ TTC

24 En stock

Transistor IRFZ44NS N-MOS 55V 49A 3.8W(94W*)<0.0175R(35A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 49 A. Puissance: 3.8 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ44V

3.81€ TTC

276 En stock

Transistor IRFZ44V N-MOS 60V 55A 115W<0.0165R(39A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. td(on):13nS. td(off):40nS (51A). Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. VGS(th) 2...4V. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 55 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ46N

3.25€ TTC

21 En stock

Transistor IRFZ46N N-MOS 55V 53A 120W<0.020R(28A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 53 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 28 A. Rds (Ohms): 0.02.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ46NL

4.03€ TTC

11 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 53A. Référence d'origine constructeur: IRFZ46NLPBF. Boîtier: TO-262. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 53A. Puissance: 120W. Résistance Rds: 16.5 milliOhms. HEXFET Power MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFZ48N

3.53€ TTC

204 En stock

Transistor IRFZ48N N-MOS 55V 64A 140W<0.016R(32A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 64 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 32 A. Rds (Ohms): 0.016

Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N IRG4BC20KDPBF

7.62€ TTC

5 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 16A/32Ap 60W Vce(on) : 2.27V

Tarifs dégressifs

Transistor IRG4BC30U

8.06€ TTC

72 En stock

Transistor IGBT N 600V 23A. 100W. Vce(on): 1.95V.

Tarifs dégressifs

Transistor IRG4BC30UD

9.74€ TTC

84 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 23A. Puissance: 100W. Vce(sat): 1.95V. Boîtier: TO-220(AB). t(on): 27ns. t(off): 175ns

Tarifs dégressifs

Transistor IRG4BC30W

7.11€ TTC

31 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 23A. Puissance: 100W. Vce(on): 2.1V. Boîtier: TO-220(AB). Vce(on): max:2.7V. td(on): 25ns. td(off): 99ns.

Tarifs dégressifs

Transistor IRG4PC30KD

10.30€ TTC

16 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 28A. Puissance: 100W. Vce(on): 2.21V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 60ns. td(off): 160ns.

Tarifs dégressifs

Transistor IRG4PC30UD

13.78€ TTC

50 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 23A. Puissance: 100W. Vce(on): 1.95V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 40ns. td(off): 91ns.

Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N IRG4PC40FDPBF

12.77€ TTC

35 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 49A/200Ap 160W Vce(on) : 1.5V

Tarifs dégressifs

Transistor IRG4PC40K

12.54€ TTC

71 En stock

N-IGBT 600V 42A/84Ap 160W Vce(on)2.1V. Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRG4PC40KPBF. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 42 A. Ic(T-100°C): 25 A. Ic(puls): 84 A. Puissance: 160 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 3 V. VC

Tarifs dégressifs

Transistor IRG4PC40KD

12.32€ TTC

51 En stock

N-IGBT+D 600V 42A/84Ap 160W Vce(on)2.1V. Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRG4PC40KDPBF. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO247(AC). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 600 V. Consommation 42 A. Ic(T-100°C): 25 A. Ic(puls): 84 A. Puissance: 160 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 3 V.

Tarifs dégressifs

Transistor IRG4PC40U

11.26€ TTC

3 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 40A. Puissance: 160W. Vce(on): 1.72V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 34ns. td(off): 110ns.

Tarifs dégressifs

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Transistor IRFU9024

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: -8.8A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<0.28 Ohm. Boîtier: TO-251AA (I-PAK).

Transistor IRFU9024N

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -55V. Courant de drain maxi: -11A. Puissance: 38W. Résistance passante (Rds):<0.175 Ohm. Boîtier: TO-251AA (I-PAK).

Transistor MOSFET canal-N IRFUC20

Transistor MOSFET canal-N 600V 2A/8Ap 42W. Résistance passante RDSon : 4.4 Ohms (1.2A)

Transistor IRFZ24N

Transistor IRFZ24N N-MOS 55V 17A 60W<0.07R(10A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 10 A. Rds (Ohms): 0.07. Puissance: 60 W

Transistor IRFZ34N

Transistor IRFZ34N N-MOS 55V 29A 88W<0.04R(18A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 29 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 18 A. Rds (Ohms): 0.04. Puissance: 88 W

Transistor IRFZ44N

Transistor IRFZ44N N-MOS 55V 49A 94W<0.0175R(35A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 49 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 35 A. Rds (Ohms): 0.017

Transistor IRFZ44NS

Transistor IRFZ44NS N-MOS 55V 49A 3.8W(94W*)<0.0175R(35A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 49 A. Puissance: 3.8 W

Transistor IRFZ44V

Transistor IRFZ44V N-MOS 60V 55A 115W<0.0165R(39A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. td(on):13nS. td(off):40nS (51A). Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. VGS(th) 2...4V. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 55 A.

Transistor IRFZ46N

Transistor IRFZ46N N-MOS 55V 53A 120W<0.020R(28A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 53 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 28 A. Rds (Ohms): 0.02.

Transistor IRFZ46NL

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 53A. Référence d'origine constructeur: IRFZ46NLPBF. Boîtier: TO-262. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 53A. Puissance: 120W. Résistance Rds: 16.5 milliOhms. HEXFET Power MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

Transistor IRFZ48N

Transistor IRFZ48N N-MOS 55V 64A 140W<0.016R(32A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 64 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 32 A. Rds (Ohms): 0.016

Transistor IGBT canal-N IRG4BC20KDPBF

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 16A/32Ap 60W Vce(on) : 2.27V

Transistor IRG4BC30U

Transistor IGBT N 600V 23A. 100W. Vce(on): 1.95V.

Transistor IRG4BC30UD

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 23A. Puissance: 100W. Vce(sat): 1.95V. Boîtier: TO-220(AB). t(on): 27ns. t(off): 175ns

Transistor IRG4BC30W

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 23A. Puissance: 100W. Vce(on): 2.1V. Boîtier: TO-220(AB). Vce(on): max:2.7V. td(on): 25ns. td(off): 99ns.

Transistor IRG4PC30KD

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 28A. Puissance: 100W. Vce(on): 2.21V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 60ns. td(off): 160ns.

Transistor IRG4PC30UD

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 23A. Puissance: 100W. Vce(on): 1.95V. Boîtier: TO-247(AC). td(on): 40ns. td(off): 91ns.

Transistor IGBT canal-N IRG4PC40FDPBF

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 49A/200Ap 160W Vce(on) : 1.5V

Transistor IRG4PC40K

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